ハフニウム二硫化物HfS2 (Hafnium Disulfide)
晶体尺寸：~10毫米
电学性能：半导体
晶体结构：六边形
晶胞参数：a = b = 0.363 nm、c = 0.586 nm、α = β = 90°、γ = 120°
晶体类型：合成
晶体纯度：＞99.995%

HfS2単晶のX線衍射は(001)平面に沿って並んでいる。XRDはD8 Venture Brukerを使用して室温で実行された。4つのXRDピークは,左から右に,l = 1,2,3,4で (00l) に対応します.

単結晶HfS2の粉末X線衍射（XRD）X線折射はD8 Venture Brukerを使用して室温で行われた。

エネルギー分散X線分光学（EDX）による単結晶HfS2のストイチオメトリック分析

単結晶HfS2のラマンスペクトル測定は室温で785nmラマンシステムで行われた。